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HS-phys-SimPLe半導體晶片內部缺陷檢測系統



產品介紹
HS-phys-SimPLe半導體晶片內部缺陷檢測系統是專門用于包括單晶硅、碳化硅、藍寶石等半導體晶片及晶環生產過程中以極高的分辨率探測晶片和晶環的內部滑移線、內部隱裂等內部缺陷檢測的儀器

檢測原理是：HS-Phys-SimPLe系統是一種高分辨率光致發光（PL）掃描映射系統，用于表征直徑高達400mm的半導體晶片。使用專門設計的高強度激光源來激發半導體材料中的少子載流子。
 
三種類型復合載體：SRH（Shockley-Read-Hall）深能級復合，Auger俄歇復合和Radiative輻射復合。在較低注入水平下，Auger俄歇復合可以忽略不計，因此“清潔”區域由輻射控制，而污染區域主要由SRH深能級復合控制。由于結晶滑移缺陷就像溶解污染的吸雜點，具有較低的輻射發射。因此可以通過PL技術將其可視化。



產品特點
■ 直徑達400mm、厚度達30mm的晶片檢查
■ 60μm分辨率下的滑移線檢測
■ 更多波長可供選擇
■ 檢測速度：12英寸-13分鐘，8英寸-5分鐘
■ 利用優化的波長和過濾進行PL滑移線檢查，可以發現制程中尚未發現的問題
■ 顯示更小的滑移線等內部缺陷。
■ 自動晶圓探測器
■ 自動參數設置
■ 即使在低信號采樣上也具有高分辨率和高對比度



技術指標：
■ 主要探測：半導體級硅晶片/環，光伏硅片，碳化硅晶片，藍寶石晶片等半導體晶片/環
 
■ 檢測時間：
■cca.5分鐘/8英寸晶圓
■cca.13分鐘/12英寸晶圓
 
■成像系統：
■0.4mm分辨率的近紅外InGaAs探測器
■高靈敏度溫控FPA
 
■激光系統： 
■1級高功率近紅外激光系統
■外殼上有冗余聯鎖
■警示燈
■軟件聯鎖
■TEC溫度穩定，采用閉路水冷卻
■滿功率時溫度穩定性在2攝氏度以內
 
■激光控制：電腦控制電源，帶有集成PID溫度控制器。
 
■參考系統的少子壽命精度：<5%（若校準）
 
■重復性：<5%
 
■機器對機器系數:校準后<3%
 
■ 尺寸：1800[H]x 1100[W]x 1100[D]mm
 
■ 重量：270kg
 
■合規：CE、RoH
 
 

 
典型用戶
 
聯電、綠能科技、臺積電等半導體龍頭企業